La mejora de la memoria del ordenador con la nanotecnología
Los investigadores están utilizando la nanotecnología para crear otros tipos de memoria de la computadora, tratando de superar a la memoria flash que es dominante en el mercado actual. Varias empresas y universidades están desarrollando cuatro métodos de uso de nanocables o nanopartículas para aumentar la cantidad de memoria almacenada en las unidades de estado sólido.
Hacer memoria con memristors
Hewett Packard está desarrollando un dispositivo de memoria que utiliza nanocables recubiertas con dióxido de titanio. Un grupo de estos nanocables se deposita paralelo a otro grupo. Cuando un nanocable perpendicular se coloca sobre un grupo de cables paralelos, un dispositivo llamado memristor está formado en cada intersección.
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Un memristor puede ser utilizado como una célula de memoria de un solo componente en un circuito integrado. Al reducir el diámetro de los nanocables, los investigadores creen que los chips de memoria de memristor pueden lograr una mayor densidad de memoria de chips de memoria flash.
pistas de carreras de nanocables
nanocables magnéticos hechos de una aleación de hierro y níquel se utilizan para crear los dispositivos de memoria densos. Los investigadores de IBM han desarrollado un método para magnetizar secciones de estos nanocables.
Mediante la aplicación de una corriente que pueden mover las secciones magnetizadas a lo largo de la longitud del alambre. Como las secciones magnetizadas se mueven a lo largo del alambre, los datos se leen por un sensor estacionario. Este método se llama memoria pista de carreras porque las carreras de datos por el sensor estacionario.
El plan es crecer cientos de millones de nanocables circuito de carreras en forma de U sobre un sustrato de silicio para crear bajo costo, de alta densidad, y los chips de memoria de alta fiabilidad.
sándwiches de memoria dióxido de silicio
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Otro método de usar nanocables está siendo investigado en la Universidad Rice. Los investigadores de Rice han descubierto que pueden utilizar nanocables de dióxido de silicio para crear dispositivos de memoria. El nanoalambre está intercalado entre dos electrodos. Al aplicar una tensión, cambia la resistencia de los nanocables en ese lugar. Cada ubicación en la que los nanocables se encuentra entre dos electrodos se convierte en una celda de memoria.
La clave de este enfoque es que los investigadores han descubierto que pueden cambiar varias veces el estado de cada celda de memoria entre el conductor y no conductor sin dañar las características del material. Estos investigadores creen que pueden alcanzar altas densidades de memoria mediante el uso de nanocables con un diámetro de aproximadamente 5 nm y por apilamiento de múltiples capas de matrices de estos nanocables como un sándwich de tres pisos.
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Nanopuntos para almacenar más datos en un espacio más pequeño
Un método alternativo siendo desarrollado para aumentar la densidad de los dispositivos de memoria es para almacenar información en nanopartículas magnéticas. Investigadores de la Universidad Estatal de Carolina del Norte están creciendo matrices de nanopartículas magnéticas, llamadas nanopuntos, que son unos 6 nm de diámetro. Cada punto contendría información determinada en función de si son o no son magnetizados. Uso de mil millones de estos puntos 6 nm de diámetro en un dispositivo de memoria podría aumentar la densidad de memoria.
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Será interesante ver cómo estos métodos, y el trabajo por los fabricantes de memoria existentes para mejorar los dispositivos de almacenamiento de memoria existentes, resultan. ¿Qué tipo de dispositivos de memoria que va a utilizar 5 o 10 años a partir de ahora será el de la combinación adecuada de la densidad de memoria, el consumo de energía, los datos de lectura y velocidades, y cuál es la técnica atrae a la financiación para construir plantas de fabricación.