Transistores de efecto de campo
Video: Tutorial de Electrónica Básica 7: Transistores (FET y MOSFET)
UN transistor de efecto campo (FET) se compone de un canal de N- o material semiconductor de tipo P a través del cual puede fluir la corriente, con un material diferente (establecido a través de una sección del canal) controlar la conductividad del canal.
Un extremo de la canal se conoce como la fuente, el otro extremo del canal se llama el desagüe, y el mecanismo de control se llama el portón. Al aplicar una tensión a la puerta, se controla el flujo de corriente desde la fuente al drenaje. Leads están unidos a la fuente, drenaje y puerta. Algunos FET incluyen una cuarta ventaja para que pueda tierra parte del FET al chasis del circuito. (Pero no hay que confundir estas criaturas de cuatro patas con MOSFETs de doble puerta, que también tienen cuatro conductores).
FETs (pronunciado “Fetts”) son de dos tipos - de canal N y de canal P - dependiendo del tipo de material semiconductor (tipo N o de tipo P, respectivamente) a través del cual fluye la corriente. Hay dos subtipos principales de FET: MOSFET (FET de metal-óxido-semiconductor) y JFET (unión FET). ¿Qué es lo que depende de cómo se construye la puerta - que se traduce, a su vez, en diferentes propiedades eléctricas y usos diferentes para cada tipo.
Video: Transistores de efecto de campo
FET (particularmente MOSFETs) se han convertido en mucho más popular que los transistores bipolares para su uso en circuitos integrados (ICs), Donde miles de transistores trabajan juntos para realizar una tarea. Eso es porque son dispositivos de baja potencia cuya estructura permite a miles de N- y MOSFETs de canal P a ser metidos como sardinas en una sola pieza de silicio (es decir, material semiconductor).
La descarga electrostática (ESD) puede dañar los FET. Si compra FET, asegúrese de mantenerlos en una bolsa antiestática o tubo - y dejarlos allí hasta que esté listo para usarlos.